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日本爾必達和夏普將合作開發(fā)新一代記憶體晶片

2010年10月13日 9:30 6454次瀏覽 來源:   分類: 新技術(shù)

  10月13日消息  日本經(jīng)濟新聞報導(dǎo),爾必達記憶體(Elpida Memory)和夏普將合作開發(fā)新一代記憶體晶片(存儲器芯片),并在2013年投入商業(yè)化.該報稱,目前移動設(shè)備中廣泛采用NAND快閃記憶體(閃存)晶片,但電阻式隨機存取記憶體(ReRAM,resistive random access memory)晶片的耗電量低,且數(shù)據(jù)寫入速度更是其10,000倍.
  據(jù)該報稱,采用ReRAM晶片的手機可以在幾秒鐘內(nèi)下載一部高清電影,在待機模式下耗電量幾乎為零.
  日經(jīng)報導(dǎo)稱,日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),東京大學(xué)和其他晶片設(shè)備生產(chǎn)商也將加入進來,與爾必達和夏普共同開發(fā)研究.夏普是全球第三大太陽能電池生產(chǎn)商.
  批量生產(chǎn)或許將由爾必達負責(zé),預(yù)計最早將在2013年開始.爾必達是全球第三大動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)生產(chǎn)商.
  日經(jīng)稱,競爭對手東芝(6502.T: 行情)正在研制一種新型的分層結(jié)構(gòu)閃存,三星電子正在開發(fā)的晶片有ReRAM,相變隨機存儲記憶體(PRAM,phase-change random access memory)和磁性隨機存儲記憶體(MRAM,magnetoresistive random access memory).(完)

責(zé)任編輯:kitty

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