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我國集成電路高端裝備自主化取得新突破

2014年11月04日 8:49 5324次瀏覽 來源:   分類: 有色裝備

近日,由北方微電子公司自主研發(fā)的12英寸28納米等離子硅刻蝕機,已經(jīng)全面通過中芯國際集成電路制造有限公司的生產(chǎn)線全流程工藝驗證,并獲得客戶訂單。這標(biāo)志著中國集成電路高端裝備自主化取得了新的突破,并縮短了與國際一流設(shè)備的差距。

等離子刻蝕機是在硅片表面實現(xiàn)三維精細加工的高端設(shè)備,是集成電路制造中最核心的裝備之一。當(dāng)前,國際上進入量產(chǎn)的最高水平是28納米技術(shù),相比40納米技術(shù),可使集成電路的功耗更小、速度更快、成本更低,主要應(yīng)用于CPU、存儲器、移動通信、數(shù)字音視頻等高端芯片產(chǎn)品。目前,國際上僅美國和日本各有一家企業(yè)能夠提供滿足28納米生產(chǎn)線的成熟設(shè)備。

由于技術(shù)門檻高,高端刻蝕設(shè)備成為長期制約我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸。目前,我國大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線(8-12英寸)的芯片制造設(shè)備大量依賴進口,不僅嚴(yán)重影響我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展,也對我國電子信息安全造成重大隱患。

北方微電子28納米等離子硅刻蝕機通過自主創(chuàng)新,突破了精密等離子體控制、硅片表面溫度精確控制、高氣流均勻控制等多項關(guān)鍵技術(shù),以全新的硬件設(shè)計達到了高速率、高均勻性、低損傷和低缺陷、精確尺寸和形貌控制、低顆粒污染等要求,多項關(guān)鍵指標(biāo)達到國際先進水平。28納米刻蝕技術(shù)的突破,打破了國外對28納米集成電路生產(chǎn)設(shè)備的技術(shù)封鎖和市場壟斷,縮短了與國際先進水平的差距。

責(zé)任編輯:趙天寧

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