大直徑區(qū)熔硅單晶拉動雙產業(yè)鏈升級
2015年01月16日 8:34 4892次瀏覽 來源： 中國有色網 分類： 新技術
天津環(huán)歐半導體材料公司自主研發(fā)的“大直徑區(qū)熔硅單晶制備方法”，日前獲得國家發(fā)明專利，并快速實現(xiàn)了產業(yè)化生產，有力拉動了天津半導體產業(yè)鏈和新能源產業(yè)鏈全面升級。
天津環(huán)歐公司通過引進先進設備，連續(xù)進行科研攻關，先后拉制出直徑5英寸、6英寸的區(qū)熔硅單晶，在國內成為首創(chuàng)。隨后，經過多次創(chuàng)制實驗，突破設備控制軟件和操作工藝等技術難題，又成功拉制出國內首顆直徑8英寸區(qū)熔硅單晶，一舉躋于世界前三強之列。
據了解，其生產的區(qū)熔硅單晶已廣泛應用于大功率、高電壓、大電流半導體電力電子器件和新能源領域，并為我國航天用太陽能電池提供了國產化原材料配套，使產品國內市場占有率達到了60%以上。 （劉其丕）
責任編輯：趙天寧
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