中金嶺南韶關冶煉廠磷化銦單晶制備取得突破性進展
2023年08月13日 11:13 4039次瀏覽 來源： 中國有色金屬報 分類： 重點新聞 作者： 劉芳芳
8月8日，中金嶺南韶關冶煉廠（以下簡稱韶冶廠）半導體材料實驗室項目團隊采用自主設計產業(yè)化單晶爐，結合自主研發(fā)的磷化銦單晶生長技術，第一爐一次成功獲得具備行業(yè)內領先水平的高質量磷化銦單晶錠，標志著其在磷化銦單晶制備技術領域取得了突破性進展。
磷化銦具有電子遷移率高、耐輻射性能好等優(yōu)點，常溫下禁帶寬度為1.35eV，為直接躍遷型能帶結構，是光電器件和微電子器件等高端技術領域不可或缺的關鍵半導體材料。中國的磷化銦單晶襯底產業(yè)起步較晚，目前國內市場仍被發(fā)達國家的技術和產品主導，韶冶廠此次自主成功制備磷化銦單晶，標志著在半導體領域又邁出了堅實一步。
磷化銦單晶制備取得的突破性進展是中金嶺南緊緊圍繞廣東省委“1310”具體部署，加快關鍵核心技術攻關，深度延伸金屬、稀貴金屬產業(yè)鏈，推動高水平科技自立自強的有力實踐。目前，項目團隊已完成中試驗證，從設備裝配到工藝調控等一系列生產要素均已實現(xiàn)高度耦合，為磷化銦化合物半導體襯底材料的產業(yè)化、項目化奠定了扎實的基礎。
責任編輯：孟慶科
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